有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタ

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-283536
公開番号（公開出願番号）：特開2008-103464
出願日： 2006年10月18日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：

【課題】高移動度で耐久性に優れた有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】下記一般式(1)で表される化合物の少なくとも1種を含有することを特徴とする有機半導体材料。【化1】〔式中、各水素原子は置換基により置換されていても良い。X1、X2は、各々O,S又はSeを表す。n1、n2は、各々1〜3の整数を表す。〕【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表される化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。

IPC (7件)：

H01L 51/30 , H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 51/40 , H01L 51/50 , C07F 7/30 , C07D 495/04

FI (7件)：

H01L29/28 250H , H01L29/78 618B , H01L29/28 100A , H01L29/28 310J , H05B33/14 A , C07F7/30 F , C07D495/04 101

Fターム (47件)：

3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC45 , 3K107EE03 , 4C071AA01 , 4C071AA08 , 4C071BB01 , 4C071BB07 , 4C071BB08 , 4C071CC22 , 4C071EE13 , 4C071FF23 , 4C071GG01 , 4C071GG02 , 4C071HH01 , 4C071JJ01 , 4C071LL07 , 4C071LL10 , 4H049VN02 , 4H049VP02 , 4H049VQ62 , 4H049VR24 , 4H049VU24 , 4H049VW02 , 5F110AA01 , 5F110AA14 , 5F110AA16 , 5F110AA28 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE08 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK32 , 5F110NN71

引用特許：

出願人引用 (7件)

有機薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-215748 出願人：旭化成工業株式会社
ダイオード素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-316710 出願人：松下技研株式会社
αヘキサチエニールを含む製品
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-039190 出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・アイピーエム・コーポレーション

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