特許
J-GLOBAL ID：200903091507406999
3レベルインバータの制御回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森田 雄一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-349882
公開番号（公開出願番号）：特開平9-182455
出願日： 1995年12月21日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 ダイポーラ変調領域における3レベルインバータの中性点電位の変動を抑制し、半導体スイッチング素子等の主回路素子に過電圧が印加されるのを防ぐ。【解決手段】 インバータの各相電圧指令にあるバイアス量を加算回路9により加算及び減算して各相につきそれぞれ2つの電圧指令VAR*,VBR*を得るようにした3レベルインバータの制御回路に関する。インバータ基本周波数の偶数次調波を、インバータ電圧指令の位相に応じて前記2つの電圧指令VAR*,VBR*の何れか一方に加算するための偶数次調波テーブル2、乗算器3、選択回路4、加算器等と、3レベルインバータの中性点の電位変動に基づいて前記偶数次調波の大きさを決定する加算器、調節器1等を備える。
請求項（抜粋）：
直流電源両端の正電位点及び負電位点とこれらの間の中性点との間に接続された直流入力コンデンサを有する直流電源回路を備え、第1ないし第4の半導体スイッチング素子からなる3つの直列回路の両端が前記正電位点及び負電位点にそれぞれ接続されると共に、第2及び第3の半導体スイッチング素子の相互接続点がインバータ出力端子にそれぞれ接続され、第1及び第2の半導体スイッチング素子の相互接続点と前記中性点との間に第1の結合ダイオードがそれぞれ接続され、かつ、第3及び第4の半導体スイッチング素子の相互接続点と前記中性点との間に第2の結合ダイオードがそれぞれ接続されてなる3レベルインバータの制御回路であって、インバータの各相電圧指令にあるバイアス量を加算及び減算して各相につきそれぞれ2つの電圧指令を得るようにした制御回路において、インバータ基本周波数の偶数次調波を、インバータ電圧指令の位相に応じて前記2つの電圧指令の何れか一方に加算する手段と、前記中性点の電位変動に基づいて前記偶数次調波の大きさを決定する手段と、を備えたことを特徴とする3レベルインバータの制御回路。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H02M 7/48 Q
, H02M 7/48 X
, H02M 7/5387 Z
