特許
J-GLOBAL ID：200903091540979406

有機EL装置およびその製造方法

発明者：
小林 英和

小林 英和 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  須澤 修 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-184046
公開番号（公開出願番号）：特開2007-311358
出願日： 2007年07月13日
公開日（公表日）： 2007年11月29日
要約：
【課題】従来TFT素子を用いた有機EL素子においては、その開口率が低くなる制約があり、輝度を稼ぐために駆動電圧が高くなり、消費電力が増大し、寿命が短くなる課題を有していた。また、画素間配線の反射のため、外光が映りこみ、コントラストが低下する課題があった。【解決手段】有機EL素子の膜構造を、基板1上に陰極2、発光層3、正孔注入層4、透明陽極5の順の積層構造とした。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に少なくとも陰極、発光層、陽極が、この順序で積層されて有機EL装置。
IPC (6件)：
H05B 33/26 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/22 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/04 ,  H05B 33/10
FI (6件)：
H05B33/26 Z ,  H05B33/14 A ,  H05B33/22 Z ,  H05B33/12 B ,  H05B33/04 ,  H05B33/10
Fターム (21件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC05 ,  3K107CC14 ,  3K107CC21 ,  3K107CC32 ,  3K107CC36 ,  3K107DD03 ,  3K107DD22 ,  3K107DD29 ,  3K107DD37 ,  3K107DD44Z ,  3K107DD45Y ,  3K107DD46Y ,  3K107DD89 ,  3K107EE03 ,  3K107EE27 ,  3K107EE42 ,  3K107GG00 ,  3K107GG12 ,  3K107GG24
引用特許：
審査官引用 (5件)
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