特許

J-GLOBAL ID：200903091575615067

磁気記憶素子

発明者： 鹿野 博司
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-248583
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060172
出願日： 2001年08月20日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：

【要約】【課題】 磁気記憶装置(例えばMRAM)において、信頼性を低下させることなく書き込み電流を低減することにより、エレクトロマイグレーションによる断線を防いで、信頼性の向上を図る。【解決手段】 電流磁界により磁界反転を生じさせることにより情報を書き込む手段を持つ磁性体を用いたもので、書き込みを行うための磁界を発生させる書き込み線(ビット書き込み線11、ワード書き込み線21)が、非磁性導体からなる導電体層12、22と、高透磁率を持つ軟磁性体からなる磁性体層13、23との複合構造を有する磁気記憶素子において、磁性体層13、23は導電体層12、22の4倍以上の比抵抗を有するものである。

請求項（抜粋）：

電流磁界により磁界反転を生じさせることにより情報を書き込む手段を持つ磁性体を用いたもので、書き込みを行うための磁界を発生させる書き込み線が、非磁性導体からなる導電体層と、高透磁率を持つ軟磁性体からなる磁性体層との複合構造を有する磁気記憶素子において、前記磁性体層は前記導電体層の4倍以上の比抵抗を有することを特徴とする磁気記憶素子。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  H01F 10/16 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

H01F 10/16 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447 ,  H01L 21/88 R

Fターム (32件)：

5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC01 ,  5E049AC10 ,  5E049BA16 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH15 ,  5F033HH16 ,  5F033MM05 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033VV16 ,  5F033WW04 ,  5F033XX03 ,  5F033XX05 ,  5F033XX33 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA30 ,  5F083JA31 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 磁気記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-157484   出願人：株式会社東芝
• メモリセル装置及び該メモリセル装置の製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-565541   出願人：インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト
• 集積回路用金属スタックのチタンとアルミニウム合金の間の界面の改良
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-513765   出願人：インテル・コーポレーション