特許
J-GLOBAL ID：200903091594345356

Si系有機・無機ハイブリッド膜の形成方法

発明者：
中山 弘

中山 弘 について


出願人/特許権者：
有限会社マテリアルデザインファクトリ-

有限会社マテリアルデザインファクトリ- について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-417632
公開番号（公開出願番号）：特開2005-179693
出願日： 2003年12月16日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：
【課題】 種々の優れた特性を有するSi系有機・無機ハイブリッド膜を気相成長法で簡便かつ低コストで提供する。【解決手段】 Si系有機・無機ハイブリッド膜の形成方法において、加熱フィラメント2とそのフィラメントに対向して配置された基体3を反応容器1内に設け、エチレン結合を含む有機化合物の蒸気とともにアルキルシラン、アルコキシシラン、およびアミノシランから選択された少なくとも1種の化合物の蒸気を加熱フィラメント2に向けて反応容器1内へ導入し、それによって、少なくとも炭素とシリコンとを含むSi系有機・無機ハイブリッド膜を基体3上に形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
加熱フィラメントとそのフィラメントに対向して配置された基体を反応容器内に設け、 エチレン結合を含む有機化合物の蒸気とともに、アルキルシラン、アルコキシシラン、およびアミノシランから選択された少なくとも1種の化合物の蒸気を前記加熱フィラメントに向けて前記反応容器内へ導入し、 それによって、少なくとも炭素とシリコンとを含むSi系有機・無機ハイブリッド膜を前記基体上に形成することを特徴とするSi系有機・無機ハイブリッド膜の形成方法。
IPC (7件)：
C23C16/42 ,  B32B9/00 ,  C08G83/00 ,  C08J5/18 ,  C23C16/44 ,  H01L21/312 ,  H01L21/314
FI (7件)：
C23C16/42 ,  B32B9/00 Z ,  C08G83/00 ,  C08J5/18 ,  C23C16/44 A ,  H01L21/312 C ,  H01L21/314 A
Fターム (46件)：
4F071AA65 ,  4F071AA69 ,  4F071AF14 ,  4F071AF45 ,  4F071BB12 ,  4F071BB13 ,  4F071BC02 ,  4F100AA01A ,  4F100AA20A ,  4F100AD04A ,  4F100AD08A ,  4F100AG00B ,  4F100AH06A ,  4F100AK01B ,  4F100AK52A ,  4F100EH112 ,  4F100EH662 ,  4J031CA02 ,  4J031CA34 ,  4J031CA47 ,  4J031CA67 ,  4J031CA87 ,  4J031CE04 ,  4J246AA15 ,  4J246AB11 ,  4J246BB440 ,  4J246CA140 ,  4J246CA230 ,  4J246FA561 ,  4J246FB301 ,  4J246GB22 ,  4J246GB33 ,  4J246GC02 ,  4J246GC12 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA48 ,  4K030BB00 ,  4K030CA06 ,  4K030CA07 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AC10 ,  5F058AF02
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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