特許

J-GLOBAL ID：200903091642286863

電源装置

発明者： 渡辺 勇一
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-031231
公開番号（公開出願番号）：特開2001-223341
出願日： 2000年02月08日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：

【要約】【課題】 小型軽量化を実現し、放熱設計を含めた設計を柔軟に行うことができ、設計にかかる時間と労力とを格段に減少させること。【解決手段】 入力端子11と出力端子12との間を流れる主電流上に配置し、導通時の抵抗が小さいGaN-FET10と、出力電圧Voutを設定するツェナーダイオードZDおよび抵抗Rを備える。

請求項（抜粋）：

電力制御対象である主電流上に配置し、GaN系化合物を用いて形成した半導体素子と、前記半導体素子を流れる主電流の導通を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする電源装置。

IPC (8件)：

H01L 27/095 ,  H01L 21/06 ,  H01L 21/8232 ,  H02M 3/28 ,  H02M 3/335 ,  H02M 3/337 ,  H02M 7/537 ,  H02M 7/5387

FI (7件)：

H02M 3/28 H ,  H02M 3/335 E ,  H02M 3/337 D ,  H02M 7/537 E ,  H02M 7/5387 Z ,  H01L 29/80 E ,  H01L 27/06 F

Fターム (44件)：

5F102FA02 ,  5F102FA10 ,  5F102GA14 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01 ,  5H007AA03 ,  5H007AA06 ,  5H007BB06 ,  5H007CA02 ,  5H007CB04 ,  5H007CB05 ,  5H007CC23 ,  5H007DB03 ,  5H007EA02 ,  5H007HA03 ,  5H007HA04 ,  5H007HA05 ,  5H730AA06 ,  5H730AA08 ,  5H730AA14 ,  5H730AA20 ,  5H730AS01 ,  5H730BB23 ,  5H730BB25 ,  5H730BB26 ,  5H730BB27 ,  5H730BB43 ,  5H730DD04 ,  5H730EE07 ,  5H730EE08 ,  5H730FD01 ,  5H730FF19 ,  5H730FG06 ,  5H730ZZ07 ,  5H730ZZ11 ,  5H730ZZ13

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 静電誘導トランジスタの駆動方法及び駆動回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-133195   出願人：株式会社日立製作所
• 加圧接触型半導体装置及びこれを用いた電力変換器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-347543   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置並びにそれを用いた電力変換器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-053605   出願人：株式会社日立製作所