特許
J-GLOBAL ID：200903091652106162

半導体装置の製造方法

発明者：
高橋 義和

高橋 義和 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-207083
公開番号（公開出願番号）：特開2004-096096
出願日： 2003年08月11日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
【課題】半導体チップとほぼ同じ大きさのパッケージを効率よく製造する製造方法を提供する。【解決手段】表面に複数の素子領域を備えたウエハ5の複数の素子領域に突起電極2を形成し、ウエハ5表面に複数の素子領域の境界を示す凹部を備えた封止樹脂12を突起電極2の表面を露出させて形成し、封止樹脂12から露出した突起電極2上にボール電極4を形成し、凹部を基準として複数の素子領域を個々の素子1に分割する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
表面に複数の素子領域を備えたウエハの前記複数の素子領域に突起電極を形成する工程と、前記ウエハ表面に前記複数の素子領域の境界を示す凹部を備えた封止樹脂を前記突起電極の表面を露出させて形成する工程と、前記封止樹脂から露出した突起電極上にボール電極を形成する工程と、前記凹部を基準として前記複数の素子領域を個々の素子に分割する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
H01L23/12
FI (1件)：
H01L23/12 501P
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM