半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：後藤洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-035812
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245277
出願日： 1994年03月07日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：

【要約】【目的】高融点金属シリサイドの相転移温度上昇を抑制する。【構成】シリコン上に高融点金属をスパッタした後,低温の熱処理で非晶質状態のシリサイドを形成した後,高温で熱処理を行なう。また,シリコン上に非晶質状態の高融点金属シリサイドをスパッタした後,高温の熱処理を行なう。さらに,シリコン上に高融点金属をスパッタした後,一旦結晶状のシリサイドを形成し,イオン注入にて非晶質化した後,高温の熱処理を行なう。

請求項（抜粋）：

単結晶及び多結晶質の内の少なくとも一種からなるシリコン上に高融点金属膜を堆積し,第1の温度で熱処理を施し,高融点金属シリサイドを形成する第1熱処理工程と,前記高融点金属シリサイドの上層部に存在する余剰高融点金属とその反応物とをエッチングで除去するエッチング工程と,前記高融点金属シリサイドを前記第1の温度よりも高い第2の温度で熱処理を施す第2熱処理工程とを含む半導体装置の製造方法において,前記第1熱処理工程によって非晶質状態の高融点金属シリサイドを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/203 , H01L 21/324 , H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/88 M , H01L 21/90 B

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭61-174745
特開平3-076116
微細半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-178178 出願人：三菱電機株式会社

全件表示

前のページに戻る