半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-241122
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068635
出願日： 1999年08月27日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】メモリセルのパターニング制御性が良いレイアウト構造を有する半導体記憶装置を得る。【解決手段】メモリセルアレイ領域1の1メモリセル単位のメモリセルの素子構成要素(活性領域10〜15,21〜23及びポリシリコン領域31〜42)のパターンと外周用ダミーセル領域3のダミーセルのパターンとは同一で、かつ両者のパターンは境界線BC1に対して線対称な関係を呈している。加えて、メモリセルアレイ領域1の1メモリセル単位のメモリセルのパターンと杭打ち領域2のダミーセルのパターンとは同一で、かつ両者のパターンは境界線BC2に対してに線対称な関係を呈している。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、メモリセルがアレイ状に配置されたメモリセルアレイ領域と、前記半導体基板上に前記メモリセルアレイ領域と隣接して配置され、ダミーセルを有するメモリセルアレイ隣接領域とを備え、前記メモリセルアレイ隣接領域の前記ダミーセルの少なくとも一部のパターンは、前記メモリセルアレイ領域と前記メモリセルアレイ隣接領域との境界線の近傍領域において、前記境界線に対し前記メモリセルの少なくとも一部のパターンと線対称の関係で形成される、半導体装置。

Fターム (7件)：

5F083AD00 , 5F083BS00 , 5F083CR00 , 5F083LA01 , 5F083LA02 , 5F083LA17 , 5F083ZA28

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-322460
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-259961 出願人：日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
特開平4-211169

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