特許

J-GLOBAL ID：200903091737369219

半導体素子およびその製造方法

発明者： 平野 光 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
出願人/特許権者： 大阪瓦斯株式会社
代理人 (1件)： 北村 修一郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-001749
公開番号（公開出願番号）：特開2002-208722
出願日： 2001年01月09日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：

【要約】【課題】 低欠陥密度の半導体膜を用いた半導体素子を提供する【解決手段】 半導体素子が、部分的に内部に後退した凹部8が表面に形成された結晶成長面を有する基板1と、上記結晶成長面上に成長された、窒化物半導体からなる単層または複数層の半導体層2とを備えてなり、上記結晶成長面において、上記結晶成長面の原子配列構造と上記半導体層2の原子配列構造が同じである。

請求項（抜粋）：

部分的に内部に後退した凹部が表面に形成された結晶成長面を有する基板と、前記結晶成長面上に成長された、窒化物半導体からなる単層または複数層の半導体層とを備えてなり、前記結晶成長面において、前記結晶成長面の原子配列構造と前記半導体層の原子配列構造が同じである半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 31/10

Fターム (25件)：

5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AF12 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045DA52 ,  5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049NA01 ,  5F049NA10 ,  5F049NA11 ,  5F049NA13 ,  5F049NB10 ,  5F049PA04 ,  5F049PA20 ,  5F049SS01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体基材及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-335591   出願人：三菱電線工業株式会社
• 火炎センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-351692   出願人：大阪瓦斯株式会社
• 半導体基材及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-071467   出願人：三菱電線工業株式会社