基板構造及びその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-098875
公開番号（公開出願番号）：特開2006-100778
出願日： 2005年03月30日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：

【課題】触媒材料をパターニングすることなく、従って基板上の他の部分にダメージを与えたり、当該触媒材料が汚染されたりすることなく、容易且つ確実に基板上の任意の形状・面積の所定領域にCNTを成長させる。【解決手段】シリコン基板1上の所望部位にTi膜2をパターン形成し、Ti膜2を覆うように基板1上にCo膜3を形成する。そして、熱CVD法により600°C程度でCo膜3表面のうち、下部にTi膜2の形成された部位のみにCNT4を形成する。CNT4の長さはTi膜2の厚みを調節することにより制御できる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板の上方の所定領域にパターン形成された下地膜と、前記下地膜を覆うように、前記基板の上方の全面に堆積された触媒材料と、前記触媒材料上の前記下地膜に相当する部位のみに形成された炭素元素からなる線状構造体とを含むことを特徴とする基板構造。

IPC (9件)：

H01L 21/320 , H01L 23/52 , B82B 3/00 , C01B 31/02 , H01L 21/28 , H01L 21/285 , H01L 29/06 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (8件)：

H01L21/88 M , B82B3/00 , C01B31/02 101F , H01L21/28 301Z , H01L21/285 C , H01L29/06 601N , H01L29/78 618B , H01L29/78 618A

Fターム (62件)：

4G146AA11 , 4G146AB06 , 4G146AD28 , 4G146AD30 , 4G146BA12 , 4G146BA48 , 4G146BB23 , 4G146BC09 , 4G146BC33B , 4G146BC42 , 4G146BC43 , 4G146BC44 , 4G146DA03 , 4G146DA16 , 4M104BB04 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB36 , 4M104DD05 , 4M104DD22 , 4M104DD43 , 4M104DD47 , 4M104FF13 , 5F033HH00 , 5F033HH11 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033JJ00 , 5F033JJ11 , 5F033JJ17 , 5F033JJ18 , 5F033JJ20 , 5F033JJ21 , 5F033MM05 , 5F033MM10 , 5F033PP08 , 5F033RR04 , 5F110AA16 , 5F110CC01 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE15 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG30 , 5F110GG44 , 5F110GG57 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110NN02 , 5F110PP34 , 5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (5件)

カーボンナノチューブの自己配向性束及びその製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-583057 出願人：ザボードオブトラスティーズオブザリーランドスタンフォードジュニアユニバーシティ
熱CVD法によるグラファイトナノファイバー薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-307962 出願人：株式会社アルバック
マイクロマシーン
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-011650 出願人：株式会社リコー

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