半導体ウェーハの再生方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐々木功 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-071749
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269174
出願日： 1999年03月17日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】拡散工程、CVD工程等によって膜が積層された半導体ウェーハの表面から、簡易かつ効率的な方法で環境を汚染することなく積層された膜を除去して再生する。【解決手段】膜が形成された表面を上にして半導体ウェーハWをチャックテーブル17に吸引保持させ、研削ホイール30を回転可能に支持する研削手段とチャックテーブル17とを互いが接近する方向に相対移動させ、回転する研削ホイール30と半導体ウェーハWとを接触させ、加工水を供給しながら半導体ウェーハWの表面を所用深さ研削除去する。

請求項（抜粋）：

表面に膜を積層して回路を形成する工程の途中または完了後にラインアウトされた半導体ウェーハから積層された膜を除去して再生する半導体ウェーハの再生方法であって、研削ホイールを回転可能に保持する研削手段と、該研削手段に対向して配設され半導体ウェーハを吸引保持するチャックテーブルとを少なくとも含む研削装置において、膜が形成された表面を上にして半導体ウェーハを該チャックテーブルに吸引保持させる工程と、該研削手段と該チャックテーブルとを互いが接近する方向に相対移動させ、回転する該研削ホイールと該半導体ウェーハとを接触させ、加工水を供給しながら該半導体ウェーハの該表面を所用深さ研削除去する工程とから少なくとも構成される半導体ウェーハの再生方法。

引用特許：

審査官引用 (10件)

ウエハーまたは基板材料の再生方法および再生設備
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-041904 出願人：株式会社神戸製鋼所
薄板状工作物の両面研削・研磨装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-053580 出願人：株式会社スーパーシリコン研究所
ダイヤモンドフルバック
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-098294 出願人：株式会社亀井

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