特許
J-GLOBAL ID：200903091931345401
パワーモジュール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 青山 正和
, 江口 昭彦
, 杉浦 秀幸
, 村山 靖彦
, 柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-182676
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019694
出願日： 2003年06月26日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：
【課題】使用に際して生ずる温度サイクルにより、端子部と電極部との接合部の破損発生を確実に抑制し、さらに、このような構成を実現しても電極部から端子部への電気伝導性の低下発生を最小限に抑制することができるパワーモジュールを提供する。【解決手段】絶縁基板11の表面に形成された回路12に半田16を介して搭載されたSiチップ14の電極部21に、端子部18が接続されたパワーモジュールであって、電極部21と端子部18との間に層23を挿入する。層23は3層の積層体であって、電極部21側及び端子部18側に各々配設された応力緩衝材として作用する低変形抵抗体と、これら低変形抵抗体同士の間に配設された、低変形抵抗体の熱膨張係数より低い熱膨張係数の低熱膨張体とを備え、前記低変形抵抗体は各々、略同一の厚さで形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁基板表面側に形成された電極部に、端子部が接続されたパワーモジュールであって、
前記電極部と前記端子部との間に、3層の積層体が挿入され、
該積層体は、前記電極部側及び前記端子部側に各々配設された、室温における0.2%耐力が50MPa以下とされた低変形抵抗体と、
これらの低変形抵抗体同士の間に配設された、当該低変形抵抗体の熱膨張係数より低い熱膨張係数の低熱膨張体とを備え、
前記低変形抵抗体は各々、略同一の厚さで形成されていることを特徴とするパワーモジュール。
IPC (2件)：
FI (1件)：
引用特許：
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