特許
J-GLOBAL ID：200903091966086905
パターン形成方法及びモールド
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山川 政樹
, 黒川 弘朗
, 山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-345533
公開番号（公開出願番号）：特開2006-156735
出願日： 2004年11月30日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：
【課題】離型時のパターン欠けなどの問題が、より容易に解消できるようにする。【解決手段】 自己架橋性を備えた可塑性を有するフッ素樹脂からなり、膜厚300nm程度のモールド層121を形成し、シリコン基板101のシリコンパターン層102が形成された面にモールド層121を押し付け、シリコンパターン層102の形状が転写(加圧成形)されたフッ素樹脂パターン層(転写パターン層)122が、モールド層121に形成された状態とする。押し付けることでフッ素樹脂パターン層122が形成された後、モールド層121を200°C程度に加熱することで熱硬化された状態とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
パターン形成面に所定のパターンが形成されたモールド基板を用意する工程と、
フッ素樹脂から構成されたモールド層が形成された状態とする工程と、
前記モールド層の主面に前記モールド基板のパターン形成面を押しつけ、前記パターンが前記モールド層の主面側に加圧成形されて前記モールド層に転写パターン層が形成された状態とする工程と
を少なくとも備えることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (1件)：
引用特許：
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