窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：岩橋文雄 , 内藤浩樹 , 永野大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-131366
公開番号（公開出願番号）：特開2006-210961
出願日： 2006年05月10日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：

【課題】光透過性電極を形成した面を主光取り出し面側とし、発光効率を向上させた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板1上にそれぞれ窒化ガリウム系化合物半導体からなるバッファ層2とn型コンタクト層3と発光層4とp型クラッド層5とp型コンタクト層6とが順に積層され、さらにp型コンタクト層6上に光透過性電極7が形成され、光透過性電極7上にはp側電極8が、n型コンタクト層3上にはn側電極9がそれぞれ形成された窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に対し、p型コンタクト層6に光透過性電極7側から窪む凹部11を複数個形成することにより、発光層4から発せられ、発光素子内部を横方向に伝播する光が凹部11より発光素子外部へ取り出されやすくなり、全体として発光効率が改善される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム系化合物半導体からなる第一導電型コンタクト層と発光層と第二導電型コンタクト層とが積層され、前記第二導電型コンタクト層上に光透過性電極を形成し、さらに前記光透過性電極上の一部にp側電極が形成される窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記第二導電型コンタクト層にp側電極を形成する領域を除いて前記光透過性電極側から窪む凹部が複数個形成されることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (11件)：

5F041AA03 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA22 , 5F041CA34 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA75 , 5F041CA88 , 5F041CB15

引用特許：

出願人引用 (1件)

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-100215 出願人：日亜化学工業株式会社

審査官引用 (11件)

3族窒化物半導体発光素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-346596 出願人：豊田合成株式会社
特開昭59-175776
特開昭50-105286

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