特許

J-GLOBAL ID：200903092009202258

質量分析法に用いられる試料ターゲットおよびその製造方法、並びに当該試料ターゲットを用いた質量分析装置

発明者： 益田 秀樹 ,  柳下 崇 ,  和田 芳直
出願人/特許権者： 財団法人神奈川科学技術アカデミー ,  地方独立行政法人 大阪府立病院機構
代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-078976
公開番号（公開出願番号）：特開2009-236489
出願日： 2008年03月25日
公開日（公表日）： 2009年10月15日
要約：

【課題】マトリックスを用いずに試料のイオン化を可能とする質量分析において、低分子化合物の測定感度を向上させるとともに、分子量30000を超える高分子量の物質のイオン化が可能となる試料ターゲットおよびその製造方法と、当該試料ターゲットを用いた質量分析装置とを提供する。【解決手段】レーザー光の照射により試料をイオン化して質量分析を行うときに、試料を保持するために用いられ、レーザー光の照射を受ける表面に開口する複数の凹部が繰り返し形成された表面を試料保持面として備えている試料ターゲットであって、上記凹部の内面の一部を除く当該試料保持面の表面が、金属および/または半導体で被覆されているとともに、上記凹部の内面に、金属および/または半導体で被覆されていない部分が存在する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

レーザー光の照射により試料をイオン化して質量分析を行うときに、試料を保持するために用いられ、レーザー光の照射を受ける表面に開口する複数の凹部が繰り返し形成された表面を試料保持面として備えている試料ターゲットであって、 隣接する各凹部の間隔は、1nm以上30μm未満となっており、 上記凹部の内面の一部を除く当該試料保持面の表面が、金属および/または半導体で被覆されているとともに、 上記凹部の内面に、金属および/または半導体で被覆されていない部分が存在することを特徴とする試料ターゲット。

IPC (2件)：

G01N 27/62 ,  G01N 27/64

FI (3件)：

G01N27/62 V ,  G01N27/62 F ,  G01N27/64 B

Fターム (6件)：

2G041CA01 ,  2G041DA03 ,  2G041FA12 ,  2G041GA06 ,  2G041GA16 ,  2G041JA06

引用特許：

出願人引用 (6件)

• 米国特許第6288390号明細書(2001年9月11日公開)
  
• 国際公開第2005/083418号パンフレット(2005年9月9日公開)
  
• 国際公開第2007/046162号パンフレット(2007年4月26日公開)
  
• 試料ターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-085763   出願人：株式会社島津製作所, 独立行政法人産業技術総合研究所
• 質量分析用基板及び質量分析用基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-162555   出願人：キヤノン株式会社
• 質量分析用イオン化基板及び質量分析装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-116525   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

審査官引用 (2件)

• 試料ターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-085763   出願人：株式会社島津製作所, 独立行政法人産業技術総合研究所
• 質量分析用基板及び質量分析用基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-162555   出願人：キヤノン株式会社