半導体装置の製造方法、および半導体製造装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-165491
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345278
出願日： 2000年06月02日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：

【要約】【課題】本発明はプラズマ化学気相堆積装置の定期的なクリーニング直後に、基板を設置しない薄い堆積でもって、膜の剥離防止とともに、その後に作製するゲート絶縁膜、非晶質シリコン半導体層の膜質を安定化。【解決手段】定期的なクリーニング直後に堆積装置内で引き続き基板を設置しないでH2とSiH4との励起・同定放電を繰り返し行うことで、その後の膜質を安定させ、十分な特性を示すTFTがクリーニング初期から得られる。

請求項（抜粋）：

フッ素系ガスをクリーニングガスとして用いるプラズマ化学気相堆積装置において、ガスクリーニング直後に100%の水素ガス雰囲気でのグロー放電と水素ガスで希釈したSiH4ガス雰囲気でのグロー放電とをグロー放電を止めることなくガスの切り替えのみで連続的に処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 , G02F 1/1368 , H01L 21/3065 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 J , G02F 1/136 500 , H01L 21/302 N , H01L 29/78 618 A

Fターム (47件)：

2H092JA24 , 2H092KA05 , 2H092MA08 , 2H092MA35 , 2H092NA18 , 4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030BA30 , 4K030BA40 , 4K030CA06 , 4K030DA06 , 4K030FA03 , 4K030LA18 , 5F004AA15 , 5F004AA16 , 5F004BA04 , 5F004BB13 , 5F004BB18 , 5F004BB28 , 5F004CA01 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA02 , 5F004DA03 , 5F004DA15 , 5F004DA16 , 5F004DA17 , 5F004DA18 , 5F004DA19 , 5F004DA20 , 5F004DA24 , 5F045AA08 , 5F045BB15 , 5F045DP03 , 5F045EB06 , 5F045EF05 , 5F045EH05 , 5F045EH12 , 5F045EH13 , 5F110AA14 , 5F110AA16 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG45 , 5F110GG60

引用特許：

審査官引用 (6件)

CVDチャンバを清掃した後に調整するための方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-125127 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
基板処理装置および基板処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-289070 出願人：国際電気株式会社
特開平2-190472

全件表示

前のページに戻る