特許

J-GLOBAL ID：200903092065335112

単結晶ダイヤモンドおよびその製造方法

発明者： 目黒 貴一 ,  山本 喜之 ,  今井 貴浩
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (4件)： 酒井 正己 ,  加々美 紀雄 ,  小松 純 ,  小松 秀岳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-060511
公開番号（公開出願番号）：特開2006-315942
出願日： 2006年03月07日
公開日（公表日）： 2006年11月24日
要約：

【課題】半導体デバイス用基板として有用な大面積でかつ歪が少ない高品質単結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。【解決手段】1主面から2つの互いに直交する直線偏光の合成とみなされる直線偏光を照射して、対面の主面から出射した2つの互いに直交する直線偏光の位相差が、試料全体にわたり、試料厚さ100μmあたり最大50nm以下である単結晶ダイヤモンドであり、その製造方法は、高圧合成法、あるいは気相合成法により製造した種となる単結晶ダイヤモンド基板の1主面を反応性イオンエッチングによりエッチング除去してから、気相合成法により新たに単結晶ダイヤモンド層を成長させる工程と、種となる単結晶ダイヤモンド基板と、気相合成法により新たに成長させた単結晶ダイヤモンド層を分離する工程を含む。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

1主面から2つの互いに直交する直線偏光の合成とみなされる直線偏光を照射して、対面の主面から出射した2つの互いに直交する直線偏光の位相差が、試料全体にわたり、試料厚さ100μmあたり最大50nm以下であることを特徴とする気相合成法により成長された単結晶ダイヤモンド。

IPC (1件)：

C30B 29/04

FI (2件)：

C30B29/04 W ,  C30B29/04 Q

Fターム (11件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077AB04 ,  4G077AB06 ,  4G077BA03 ,  4G077DB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EE01 ,  4G077EE02 ,  4G077HA12

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開昭63-224225号公報
  
• 特開平2-233591号公報
  
• 特開平4-132687号公報
  
• 特開平3-75298号公報
  

審査官引用 (3件)

• 厚い単結晶ダイヤモンド層、それを造る方法及びその層から形成された宝石の原石
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-510742   出願人：エレメントシックス(プロプライエタリイ)リミテッド
• ダイヤモンド単結晶の製造方法ならびにダイヤモンド単結晶基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-080701   出願人：住友電気工業株式会社
• ダイヤモンド単結晶基板の製造方法およびダイヤモンド単結晶基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-322048   出願人：住友電気工業株式会社