臨界電流密度の高い酸化物超電導体

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：酒井正己 , 加々美紀雄 , 小松秀岳 , 小松純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-171811
公開番号（公開出願番号）：特開2004-203727
出願日： 2003年06月17日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：

【課題】高い磁場中でも高臨界電流密度を比較的高い温度で達成できるRE-Ba-Cu-O系酸化物超電導体及びその製造方法を提供すること。【解決手段】RE-Ba-Cu-O系酸化物超電導体(REは希土類元素から選ばれた1種又は2種以上)において、RE1+xBa2-xCu3Oy(-0.1≦x≦0.1、6.5≦y≦7.1)の組成からなる母相中に、REa-Bab-Cuc-Zd-O又はREa-Bab-Cuc-Zd-Pte-O(ZはIVA族元素:Ti,Zr及びHfから選ばれる1種又は2種以上、0≦a≦1.0、0.5≦b≦1.0、0≦c≦1.0、0<d≦0.5、0<e≦0.5)の組成を有する500nm以下の非超電導微粒子を分散させる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

RE-Ba-Cu-O系酸化物超電導体(REは希土類元素から選ばれた1種又は2種以上)であって、RE1+xBa2-xCu3Oy(-0.1≦x≦0.1、6.5≦y≦7.1)の組成からなる母相中に、RE,Ba,Cu,O以外の元素を含みかつ部分溶融状態にある母相融液中で粒成長しにくい組成を有する非超電導微粒子が微細に分散してなる組織を有することを特徴とするRE-Ba-Cu-O系酸化物超電導体。

IPC (4件)：

C01G3/00 , C01G1/00 , H01B13/00 , H01L39/12

FI (4件)：

C01G3/00 , C01G1/00 S , H01B13/00 565D , H01L39/12 C

Fターム (13件)：

4G047JA01 , 4G047JB01 , 4G047JC02 , 4G047JC03 , 4G047KA01 , 4G047KB01 , 4G047KB11 , 4G047LA01 , 5G321AA02 , 5G321BA03 , 5G321CA02 , 5G321CA06 , 5G321CA13

引用特許：

審査官引用 (7件)

酸化物超電導体およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-161242 出願人：同和鉱業株式会社
酸化物超電導体
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-298979 出願人：株式会社東芝
超伝導体プレミックス
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-508080 出願人：ゾルファイバリウムストロンチウムゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング, インスティトゥートフュアフィズィカリッシェホーホテヒノロギーエーファウ

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