特許
J-GLOBAL ID：200903092113453840

半導体歪測定装置、歪測定方法、圧力センサ及び加速度センサ

発明者：
坂元 明広

坂元 明広 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について

, 
宮崎沖電気株式会社

宮崎沖電気株式会社 について


代理人 (2件)： 大垣 孝 ,  岡田 宏之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-262247
公開番号（公開出願番号）：特開2008-082835
出願日： 2006年09月27日
公開日（公表日）： 2008年04月10日
要約：
【課題】ピエゾ抵抗素子から半導体層へと流れるリーク電流を防止する。【解決手段】n型の半導体から構成されており、測定すべき外力を受けて変形し、かつ電気的に浮遊した変形部16aと、p型の部分として変形部に形成され、変形部の変形量に応じて電気抵抗の大きさが変化する複数のピエゾ抵抗素子R1〜R4と、n+型の領域として、ピエゾ抵抗素子の周囲を囲むガードリングG1〜G4とを備え、ガードリングを介して変形部に、ピエゾ抵抗素子に対する印加電圧と同符号であり、かつ印加電圧よりも絶対値が大きい電圧が印加されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体層で形成されており、測定すべき外力を受けて変形し、かつ電気的に浮遊した変形部と、 該変形部とは反対の導電型である第2導電型の部分として当該変形部に形成され、かつ該変形部の変形量に応じて電気抵抗の大きさが変化する複数のピエゾ抵抗素子と、 不純物濃度が前記変形部の不純物濃度よりも高い高濃度第1導電型の領域として、前記ピエゾ抵抗素子の周囲を囲むように前記変形部に形成されたガードリングとを備えた半導体歪ゲージ、及び 前記ピエゾ抵抗素子に対する印加電圧と同符号であり、かつ該印加電圧よりも絶対値が大きい電圧を、前記ガードリングを介して前記変形部に印加する電圧印加部を備えることを特徴とする半導体歪測定装置。
IPC (3件)：
G01L 9/00 ,  H01L 29/84 ,  G01P 15/12
FI (5件)：
G01L9/00 303A ,  H01L29/84 A ,  H01L29/84 B ,  G01L9/00 303Q ,  G01P15/12 D
Fターム (28件)：
2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE14 ,  2F055FF11 ,  2F055GG11 ,  4M112AA01 ,  4M112AA02 ,  4M112BA01 ,  4M112CA01 ,  4M112CA03 ,  4M112CA07 ,  4M112CA21 ,  4M112CA24 ,  4M112CA27 ,  4M112DA03 ,  4M112DA06 ,  4M112DA09 ,  4M112DA10 ,  4M112DA14 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA11 ,  4M112FA20 ,  4M112GA01
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 実開平7-8743号公報
  • 特開平3-24766号公報
  • 特開平2-7554号公報
審査官引用 (4件)
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