特許

J-GLOBAL ID：200903092118860176

記憶素子、メモリ

発明者： 細見 政功 ,  肥後 豊 ,  山岸 肇
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  伊藤 仁恭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-235457
公開番号（公開出願番号）：特開2007-053143
出願日： 2005年08月15日
公開日（公表日）： 2007年03月01日
要約：

【課題】 微細化を図った場合でも容易にパターニング加工を行うことが可能であると共に、スピン注入効率を改善することができる構成の記憶素子を提供する。【解決手段】 情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層17の上下に設けられた磁化固定層31,32がいずれも非磁性層を介して積層された複数層の強磁性層から成り、各強磁性層の磁化の向きが互い違いになっており、少なくとも記憶層17の上の磁化固定層32は、非磁性層を介して複数層の強磁性層が積層された構造のみにより、磁化M19,M21の向きが固定され、積層方向に電流を流して、スピン偏極した電子を注入することにより、記憶層17の磁化M1の向きが変化して、情報が記録される記憶素子3を構成する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層を有し、 前記記憶層に中間層を介して、磁化固定層が設けられ、 前記磁化固定層が、非磁性層を介して積層された複数層の強磁性層から成り、 前記磁化固定層において、前記非磁性層を介して積層された各前記強磁性層の磁化の向きが互い違いになっており、前記非磁性層を介して複数層の前記強磁性層が積層された構造のみにより、前記強磁性層の磁化の向きが固定されており、 積層方向に電流を流して、スピン偏極した電子を注入することにより、前記記憶層の磁化の向きが変化して、前記記憶層に対して情報の記録が行われる ことを特徴とする記憶素子。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82

FI (3件)：

H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z

Fターム (9件)：

5F083FZ10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33

引用特許：

出願人引用 (2件)

• キャリヤスピン注入磁化反転型磁気抵抗効果膜と該膜を用いた不揮発性メモリー素子及び該素子を用いたメモリー装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-203934   出願人：財団法人理工学振興会, 財団法人神奈川科学技術アカデミー
• 米国特許公開第2004/0027853号明細書
  

審査官引用 (2件)

• 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-203783   出願人：株式会社東芝
• 磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-350988   出願人：株式会社東芝