特許
J-GLOBAL ID：200903092151656185
ナノワイヤの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩根 正敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-105142
公開番号（公開出願番号）：特開2006-281379
出願日： 2005年03月31日
公開日（公表日）： 2006年10月19日
要約：
【課題】 太さが数ナノメータから数十ナノメータで、長さが1マイクロメータ以上のナノワイヤを、自己組織化により効率的に、かつ、確実に製造する方法を提案すること。【解決手段】 表面が清浄な結晶面である基板(例えば、Siの単結晶の[100]面、または[110]面、または[111]面)を準備する基板準備過程と、ナノワイヤを作るための材料(例えば、ErCl3)を上記基板の表面に付着させる(例えば、スピンココーティング法、またはレーザアブレーション法による)材料供給過程と、上記基板の上記材料が付着された表面の前に微小空間を形成する(例えば、スペーサ式微小空間形成、または凹部式微小空間形成による)微小空間形成過程と、上記微小空間が前面に形成された上記基板を真空中で所定温度に保つアニール過程とからなる、ナノワイヤの製造方法とした。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
表面が清浄な結晶面である基板を準備する基板準備過程と、ナノワイヤを作るための材料を上記基板の表面に付着させる材料供給過程と、上記基板の上記材料が付着された表面の前に微小空間を形成する微小空間形成過程と、上記微小空間が前面に形成された上記基板を真空中で所定温度に保つアニール過程とを含むことを特徴とする、ナノワイヤの製造方法。
IPC (4件)：
B82B 3/00
, H01L 29/06
, H01L 29/66
, H01L 29/78
B82B3/00
, H01L29/06 601N
, H01L29/66 S
, H01L29/78 301B
, H01L29/78 301J
5F140AA40
, 5F140AC20
, 5F140BA00
, 5F140BA01
, 5F140BA17
, 5F140BB01
, 5F140BC11
, 5F140BC17
, 5F140BC19
, 5F140BK29
