特許
J-GLOBAL ID：200903092152494510

キャパシタ素子及びこの製造方法、半導体装置用基板、並びに半導体装置

発明者：
山崎 智生

山崎 智生 について

, 
六川 昭雄

六川 昭雄 について


出願人/特許権者：
新光電気工業株式会社

新光電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-049716
公開番号（公開出願番号）：特開2004-259988
出願日： 2003年02月26日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：
【課題】本発明は半導体装置用基板に埋め込むキャパシタ素子に関し、薄型化及び生産性の向上を図ることを課題とする。【解決手段】キャパシタ素子20は、支持体21がシリカ無機フィラーが含有してあるエポキシ樹脂製のシート片であり、線膨張係数が5〜30ppm/Kの範囲に調整してあるものであり、搭載される半導体素子と同じ大きさを有する。キャパシタ素子20は、支持体21と、支持体21の上面に、薄膜技術を利用して形成してある薄膜キャパシタ部22とを有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
支持体上に、二つの電極が誘電体層を挟んで対向してなるキャパシタ部を有する構成であり、 該支持体は、線膨張係数が調整された樹脂製であることを特徴とするキャパシタ素子。
IPC (4件)：
H01G4/33 ,  H01G4/12 ,  H01L23/12 ,  H01L25/00
FI (5件)：
H01G4/06 102 ,  H01G4/12 391 ,  H01L25/00 B ,  H01L23/12 B ,  H01G1/035 E
Fターム (41件)：
4E351AA01 ,  4E351BB03 ,  4E351BB26 ,  4E351BB32 ,  4E351BB33 ,  4E351CC01 ,  4E351CC06 ,  4E351DD01 ,  4E351DD14 ,  4E351DD31 ,  4E351GG01 ,  4E351GG20 ,  5E001AB06 ,  5E001AF02 ,  5E001AF06 ,  5E001AH03 ,  5E001AH07 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5E001AJ03 ,  5E001AZ01 ,  5E082AA20 ,  5E082AB10 ,  5E082BB10 ,  5E082BC33 ,  5E082CC20 ,  5E082EE05 ,  5E082EE23 ,  5E082EE26 ,  5E082EE37 ,  5E082EE39 ,  5E082FF05 ,  5E082FG03 ,  5E082FG22 ,  5E082FG42 ,  5E082GG10 ,  5E082GG11 ,  5E082GG28 ,  5E082KK08 ,  5E082MM05 ,  5E082PP10
引用特許：
審査官引用 (5件)
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