特許
J-GLOBAL ID:200903092158331486

プラズマ処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 亀谷 美明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-279549
公開番号(公開出願番号):特開平10-162992
出願日: 1997年09月25日
公開日(公表日): 1998年06月19日
要約:
【要約】【課題】 処理室内に処理ガスを均一に導入し,かつ均一な電界を形成可能な高周波誘導結合プラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 エッチング装置100の処理室102a上部に配される誘電体118の高周波アンテナ層118c内に,内周部120bと外周部120cと中間部120dから成る高周波アンテナ120を形成する。高周波アンテナ120が粗に配され,高電界領域となる中間部120d下方の処理ガス供給層118d内に,第1ガス供給経路152と第2ガス供給経路150を配置する。処理ガスは,第2ガス供給経路150のガス供給孔150aから処理室102a内に均一に吐出する。ガス供給経路151内でプラズマが励起し,処理室102a内に伝達される電界が減衰して,処理室102a内に均一な電界が形成され,均一な密度のプラズマが生成される。
請求項(抜粋):
高周波アンテナに高周波電力を印加することにより,誘電体を介して処理室内に誘導結合プラズマを励起し,前記処理室内の被処理体に対して所定のプラズマ処理を施すように構成されたプラズマ処理装置において:前記誘電体の前記被処理体に対する対向面側にガス供給手段を形成し;前記ガス供給手段は,誘電体本体と,ガス供給インレットと,そのガス供給インレットから前記誘電体本体内を略水平方向に延伸する1または2以上のガス経路と,そのガス経路から分岐して前記被処理体に対する対向面側に開口するとともに前記ガス経路よりも小径の1または2以上のガス供給口とから構成されることを特徴とする,プラズマ処理装置。
IPC (3件):
H05H 1/46 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065
FI (3件):
H05H 1/46 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B
引用特許:
審査官引用 (10件)
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