特許
J-GLOBAL ID：200903092168023437

半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者：
佐藤 健史

佐藤 健史 について

, 
賀茂 尚広

賀茂 尚広 について

, 
野田 剛史

野田 剛史 について


出願人/特許権者：
株式会社 日立ディスプレイズ

株式会社 日立ディスプレイズ について


代理人 (1件)： 小野寺 洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-153426
公開番号（公開出願番号）：特開2006-332303
出願日： 2005年05月26日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：
【課題】 CWレーザ光により結晶化した半導体膜を有するガラス基板の切断時に生じるクラックを防止する。【解決手段】 基板GLS上の半導体装置となる領域は基板切断位置CUTにより分離されている。各領域には、画素領域PXDと画素を駆動するゲート線駆動回路領域GCRおよび信号線駆動回路領域DCR、さらに接続端子が形成される端子領域ELDが設けられている。画素領域PXDとゲート線駆動回路領域GCRにはCWレーザを照射していない多結晶Si膜を用いたTFTが形成されている。信号線駆動回路領域DCRの一部には、CWレーザ光を照射した領域CWDが形成されており、横方向成長した結晶からなる多結晶Si膜を用いたTFTが形成されている。基板切断位置CUTには、CWレーザが照射されない領域UCWが設けられており、CWレーザ光を基板切断位置CUT付近を除き照射する。領域CWDの基板表面の引張り応力に比べ、基板切断位置CUT付近の基板表面の引張り応力は小となっており、基板切断によるクラックが抑制される。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
歪点750°C以下のガラス基板の少なくとも一部にSiを主成分とする結晶が横方向成長された半導体膜が形成されており、前記ガラス基板の周辺の表面の引張り応力が、前記横方向成長された半導体膜の形成された領域の引張り応力より小であることを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  G02F 1/136 ,  G02F 1/133 ,  H01L 21/301
FI (9件)：
H01L21/268 F ,  H01L29/78 612Z ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/78 626C ,  H01L21/20 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1333 500 ,  H01L21/78 L ,  H01L21/78 B
Fターム (85件)：
2H090JA08 ,  2H090JB02 ,  2H090JC03 ,  2H090JD17 ,  2H092JA24 ,  2H092JA28 ,  2H092JB56 ,  2H092KA04 ,  2H092MA30 ,  2H092NA17 ,  2H092NA25 ,  2H092NA29 ,  2H092PA01 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110DD21 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE38 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL06 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP23 ,  5F110PP29 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ11 ,  5F152AA03 ,  5F152BB02 ,  5F152CC02 ,  5F152CD03 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD23 ,  5F152CE05 ,  5F152CE14 ,  5F152CE24 ,  5F152CE28 ,  5F152CE45 ,  5F152EE01 ,  5F152EE05 ,  5F152FF03 ,  5F152FF07 ,  5F152FF09 ,  5F152FF30 ,  5F152FF32 ,  5F152FF47 ,  5F152FG01 ,  5F152FG03 ,  5F152FG08 ,  5F152FG19 ,  5F152FG21 ,  5F152FG23 ,  5F152FH01 ,  5F152FH03 ,  5F152FH08
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM