特許
J-GLOBAL ID：200903092178942686
半導体装置及びその製造方法、回路基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢作 和行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-174429
公開番号（公開出願番号）：特開2005-353913
出願日： 2004年06月11日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：
【課題】 回路基板に対する半導体チップの接続信頼性を向上した半導体装置及びその製造方法、回路基板を提供すること。【解決手段】 スタッドバンプ202が設けられた半導体チップ200を搭載する回路基板100が、片面に配線パターン12を有し、スタッドバンプ202に対応する位置に、配線パターン12を底部とし、導電性ペースト14が充填されたビアホール13を有する第1の樹脂フィルム10と、第1の樹脂フィルム10の配線パターン形成面及びその裏面の一方に、回路基板100の表層として積層された第2の樹脂フィルム20とを少なくとも備え、半導体チップ200を搭載した状態で、スタッドバンプ202が第2の樹脂フィルム20を貫通し、ビアホール13内に配置されて導電性組成物15と接合されるとともに、この接合部位が軟化した第1の樹脂フィルム10及び第2の樹脂フィルム20の少なくとも一方により封止される構成とした。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
電極上にバンプを形成してなる半導体基板を準備する半導体基板準備工程と、
熱可塑性樹脂からなり、配線パターンを有する樹脂フィルムを含む複数の樹脂フィルムを積層してなる回路基板を準備する回路基板準備工程と、
前記半導体基板を前記回路基板に対して位置決め載置した状態で加熱・加圧することにより、前記半導体基板表面を前記回路基板表面に接触させるとともに前記バンプを前記熱可塑性樹脂内に押し込んで、前記配線パターンと電気的に接続させる実装工程とを備える半導体装置の製造方法であって、
前記回路基板準備工程として、片面に前記配線パターンを有し、前記バンプに対応する位置に、前記配線パターンを底部とし、接続材料が充填されたビアホールを有する第1の樹脂フィルムを形成する工程と、前記第1の樹脂フィルムの配線パターン形成面及びその裏面である配線パターン非形成面の一方に、前記回路基板の表層となるように第2の樹脂フィルムを積層する積層工程とを少なくとも備え、
前記実装工程において、前記ビアホール上に前記バンプが位置するように、前記半導体基板を前記回路基板に対して位置決め載置し、この位置決め状態で加熱・加圧することにより、前記バンプが前記第2の樹脂フィルムに押し込まれて前記第2の樹脂フィルムを貫通し、その先端から所定範囲が前記ビアホール内に配置されて前記接続材料と接合されるとともに、この接合部位が軟化した前記第1の樹脂フィルム及び第2の樹脂フィルムの少なくとも一方により封止されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5F044KK02
, 5F044KK07
, 5F044LL00
, 5F044LL11
, 5F044RR16
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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