特許
J-GLOBAL ID：200903092192762291

レジスト組成物

発明者：
佐藤 健一郎

佐藤 健一郎 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  栗宇 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-260191
公開番号（公開出願番号）：特開2004-101642
出願日： 2002年09月05日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：
【課題】超LSIや高容量マイクロチップの製造等の超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトファブリケーションプロセスに於いて好適に使用することができ、エッチング時の表面荒れが低減されたレジスト組成物、また更には、感度、解像力、プロファイル、パターン倒れ、サイドローブマージン、疎密依存性などの諸特性にも優れたレジスト組成物を提供する。【解決手段】(A)水酸基が脂肪族環状炭化水素基に置換した部分構造を有し、ガラス転移温度が120°C〜180°Cである、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)溶剤を含有するレジスト組成物。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(A)水酸基が脂肪族環状炭化水素基に置換した部分構造を有し、ガラス転移温度が120°C〜180°Cである、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び(C)溶剤を含有するレジスト組成物。
IPC (2件)：
G03F7/039 ,  H01L21/027
FI (2件)：
G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (20件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CB55 ,  2H025CB56 ,  2H025CB60 ,  2H025CC03 ,  2H025FA17
引用特許：
審査官引用 (3件)

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