半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-028677
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228476
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】半田の種類やリードの微細化に関係なく、回路基板に対して十分な接合強度を示すリードを備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置は、回路基板1の導体上に接続されるリード部と半導体素子を搭載するランド部を含むリードフレームと、ランド部に搭載された半導体素子を封止する封止部とから主に構成されている。このリードフレームのリード部は、さらに封止樹脂2で被覆されるインナーリードと封止樹脂2から露出するアウターリード3とから構成されている。半導体装置のアウターリード3は、略J字形状を有しており、半田4と接触する部分には、表面積増加領域3aが形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体チップを樹脂封止した半導体パッケージと、該半導体チップに電気的に接続され、該半導体パッケージの外側に形成された外部リードと、を具備し、前記外部リードには、基板に実装する際に用いる半田との接触面積を増加させるための凹凸が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/50 , H01L 23/28

FI (3件)：

H01L 23/50 N , H01L 23/50 E , H01L 23/28 A

Fターム (6件)：

4M109AA01 , 4M109BA01 , 4M109CA21 , 4M109FA03 , 4M109FA04 , 5F067BC07

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-138735 出願人：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社
特開平1-189151
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-290609 出願人：三菱電機株式会社

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