薄膜トランジスタ基板及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：小野由己男 , 稲積朋子
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-558934
公開番号（公開出願番号）：特表2005-514671
出願日： 2002年07月02日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：

絶縁基板上に、ゲート配線が形成されており、ゲート絶縁膜がゲート配線を覆い、ゲート絶縁膜上に半導体パターンが形成されている。半導体パターン及びゲート絶縁膜上には、ソース電極及びドレーン電極とデータ線を含むデータ配線が形成されており、データ配線上には、保護膜が形成されている。保護膜上には、接触孔を通じてドレーン電極と連結される画素電極が形成されている。この時、ゲート配線及びデータ配線は、AgにZn、In、Sn、及びCrのうちのいずれか一つ以上が混合されたAg合金からなっている。

請求項（抜粋）：

絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成されている第1信号線と、前記第1信号線上に形成されている第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に形成され、前記第1信号線と交差している第2信号線と、前記第1信号線及び前記第2信号線と連結されている薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成され、前記薄膜トランジスタの所定の電極を露出させる第1接触孔を有する第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜上に形成され、前記第1接触孔を通じて前記薄膜トランジスタの所定の電極と連結されている画素電極と、を含み、前記第1及び第2信号線のうちの少なくとも1つは、AgにZn、In、Sn、及びCrからなる添加物のうちのいずれか1つ以上が混合されたAg合金からなっている薄膜トランジスタ基板。

IPC (7件)：

G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H05B33/14

FI (9件)：

G02F1/1368 , H01L21/28 301R , H05B33/14 A , H01L29/78 612C , H01L29/78 619A , H01L29/58 G , H01L21/88 M , H01L29/78 617M , H01L29/78 616V

Fターム (111件)：

2H092GA11 , 2H092GA40 , 2H092JA24 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JB22 , 2H092JB31 , 2H092JB56 , 2H092KB01 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA10 , 2H092MA12 , 2H092MA17 , 2H092NA28 , 2H092PA01 , 2H092PA08 , 3K007AB11 , 3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007FA00 , 3K007GA00 , 4M104AA09 , 4M104BB08 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD15 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD20 , 4M104DD37 , 4M104DD78 , 4M104DD79 , 4M104DD86 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH08 , 4M104HH09 , 4M104HH16 , 5F033GG04 , 5F033HH14 , 5F033HH35 , 5F033HH38 , 5F033JJ38 , 5F033KK14 , 5F033KK35 , 5F033MM05 , 5F033MM11 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ37 , 5F033QQ73 , 5F033QQ76 , 5F033RR01 , 5F033RR06 , 5F033RR11 , 5F033RR21 , 5F033SS11 , 5F033SS21 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033WW03 , 5F033WW09 , 5F033XX10 , 5F033XX13 , 5F033XX14 , 5F033XX20 , 5F110AA03 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110EE06 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF03 , 5F110FF22 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110HK05 , 5F110HK06 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK25 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HL07 , 5F110HL14 , 5F110HL22 , 5F110HL26 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN28 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN37 , 5F110NN73 , 5F110QQ09 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (10件)

電子部品用金属材料、電子部品、電子機器、金属材料の加工方法及び電子光学部品
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-092980 出願人：ソニー株式会社, 株式会社フルヤ金属
無線装置及び無線通信システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-278142 出願人：三菱電機株式会社
ポリシリコンTFT液晶ディスプレイのゲート電極及びポリシリコンTFT液晶ディスプレイのゲート電極形成用スパッタリングターゲット
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-039308 出願人：株式会社コベルコ科研, 株式会社神戸製鋼所

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