特許
J-GLOBAL ID：200903092300770859

半導体発光素子およびその製造方法

発明者：
桝井 幹生

桝井 幹生 について

, 
福島 博司

福島 博司 について


出願人/特許権者：
松下電工株式会社

松下電工株式会社 について


代理人 (3件)： 小谷 悦司 ,  伊藤 孝夫 ,  樋口 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-370060
公開番号（公開出願番号）：特開2007-173579
出願日： 2005年12月22日
公開日（公表日）： 2007年07月05日
要約：
【課題】少なくともnGaN層、発光層およびpGaN層を積層して成る半導体発光素子において、nGaN層まで彫り込んで反射鏡を作成し、光取出し効率を向上するにあたって、前記反射鏡の形成による発光層の面積の減少を抑える。【解決手段】前記反射鏡となる溝19とともに、該反射鏡の間に、発光層15を貫通することなく、光の角度変換作用を有する微小凹凸22を形成する。したがって、反射鏡をむやみに形成することなく、これによって発光層15の面積の減少を抑えつつ、反射鏡への光の入射量を増加させ、光取出し効率を向上することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくともn型窒化物半導体層またはn型酸化物半導体層と、発光層と、p型窒化物半導体層またはp型酸化物半導体層とを順次積層させて成り、前記p型窒化物半導体層またはp型酸化物半導体層側から前記n型窒化物半導体層またはn型酸化物半導体層側へ達する溝が刻設され、その溝の内面に反射鏡が形成されて成る半導体発光素子において、 前記p型窒化物半導体層またはp型酸化物半導体層に、前記発光層まで到達しない微小凹凸をさらに有することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (7件)：
5F041AA03 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CB15
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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