特許
J-GLOBAL ID：200903092310904527
サリサイド型MOSFET及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-210584
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066406
出願日： 1993年08月25日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】 ゲート寸法が縮小化されるに伴い、ゲート抵抗が増えるのを抑え、回路の高速動作を図り得るサリサイド型MOSFET及びその製造方法を提供する。【構成】 サリサイド型MOSFETにおいて、ゲート電極24の両側面の少なくとも一部及び該ゲート電極24のサイドウォール28の下方の少なくとも一部に高融点金属シリサイド31を形成する。
請求項（抜粋）：
ゲート電極の両側面の少なくとも一部に形成される高融点金属シリサイドを具備することを特徴とするサリサイド型MOSFET。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 21/28 301
