特許
J-GLOBAL ID:200903092325471520

多結晶配向膜及びその製造方法並びに酸化物超電導体及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 志賀 正武 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-218645
公開番号(公開出願番号):特開2003-036742
出願日: 2001年07月18日
公開日(公表日): 2003年02月07日
要約:
【要約】【課題】 臨界電流密度を向上させるとともに、基材からの剥離を防止することが可能な多結晶配向膜及びその製造方法並びに酸化物超電導体及びその製造方法を提供する。【解決手段】 多数の結晶粒が結合されてなる厚さ10〜100nmの薄膜が複数積層されて形成され、かつ前記結晶粒の同一結晶軸が構成する粒界傾角が5〜20度の範囲にされてなることを特徴とする多結晶配向膜を採用する。
請求項(抜粋):
多数の結晶粒が結合されてなる厚さ10〜100nmの薄膜が複数積層されて形成され、かつ前記結晶粒の同一結晶軸が構成する粒界傾角が5〜20度の範囲にされてなることを特徴とする多結晶配向膜。
IPC (2件):
H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565
FI (2件):
H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 D
Fターム (7件):
5G321AA01 ,  5G321AA04 ,  5G321CA04 ,  5G321CA20 ,  5G321CA24 ,  5G321DB36 ,  5G321DB40
引用特許:
審査官引用 (3件)

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