特許
J-GLOBAL ID:200903092355489873
半導体装置の製造方法、保護用粘着テープおよびダイボンド用接着剤付き支持用粘着テープ
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
深井 敏和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-105811
公開番号(公開出願番号):特開2004-311848
出願日: 2003年04月09日
公開日(公表日): 2004年11月04日
要約:
【課題】厚さが50μm以下の半導体ウェハであっても、該ウェハを破損することなく、高効率で半導体装置を製造する方法を提供することである。【解決手段】支持体の片面に側鎖結晶性ポリマーを主成分とする粘着層を設けた第1の粘着テープを回路面に貼付した半導体ウェハをバックグラインドする工程と、半導体ウェハの裏面に第2の粘着テープを貼付しダイシングする工程と、第2の粘着テープの粘着力を低下させ、第1の粘着テープが貼付された半導体チップを吸引具にてピックアップする工程と、ダイボンド工程と、第1の粘着テープを剥離する工程とを含み、第1の粘着テープと第2の粘着テープとは互いに異なる条件で粘着力が低下するか、あるいは同一条件で低下した粘着力が(第2の粘着テープ)<(第1の粘着テープ)となるように構成されている。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
支持体の片面に側鎖結晶性ポリマーを主成分とする粘着層を設けた第1の粘着テープを半導体ウェハの回路面に貼付する工程と、
前記第1の粘着テープを貼付した半導体ウェハの回路面と反対の裏面を研削して所定厚さに調整するバックグラインド工程と、
バックグラインドした半導体ウェハの裏面に、支持体の片面に側鎖結晶性ポリマーを主成分とする粘着層を設けた第2の粘着テープを貼付する工程と、
前記第1の粘着テープおよび第2の粘着テープを貼付した半導体ウェハをダイシングして半導体チップを得るダイシング工程と、
ダイシング後、前記第2の粘着テープの粘着力を低下させ、前記第1の粘着テープが貼付された前記半導体チップを吸引治具にてピックアップして、前記第2の粘着テープから剥離する工程と、
ピックアップした前記半導体チップを、ダイボンド用接着剤を介して被接着体表面に接着するダイボンド工程と、
このダイボンド工程前または後に、前記第1の粘着テープの粘着力を低下させ、前記半導体チップの回路面から前記第1の粘着テープを剥離する工程とを含み、
前記第1の粘着テープおよび第2の粘着テープは互いに異なる条件で粘着力が低下するか、あるいは同一条件で低下した粘着力が(第2の粘着テープ)<(第1の粘着テープ)となるように構成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件):
H01L21/301
, H01L21/304
, H01L21/52
FI (7件):
H01L21/78 Q
, H01L21/304 631
, H01L21/52 G
, H01L21/78 M
, H01L21/78 A
, H01L21/78 P
, H01L21/78 Y
Fターム (4件):
5F047BA21
, 5F047BB03
, 5F047BB19
, 5F047FA21
引用特許:
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