特許
J-GLOBAL ID：200903092375832795

裏面照射型固体撮像素子及びその製造方法

発明者：
丸山 康

丸山 康 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-279780
公開番号（公開出願番号）：特開2006-093587
出願日： 2004年09月27日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：
【課題】 本発明は、単位画素を微細化しても混色することなく、また、アキュムレーション層での暗電流の発生を抑えた裏面照射型固体撮像素子及びその製造方法を提供するものである。【解決手段】 本発明の裏面照射型固体撮像素子1は、半導体基板に各画素の光電変換部3が形成され、前記半導体基板の表面側に前記光電変換部3における電荷蓄積領域及び信号電荷の読出し動作を行う素子が形成され、前記半導体基板の裏面側を光照射面となされ、前記各画素の光電変換部3が、前記半導体基板2の表裏両面に形成され前記光電変換部3と異なる導電型のアキュムレーション層と、該アキュムレーション層と同導電型の画素分離領域とに囲まれ、前記アキュムレーション層の不純物濃度が、1×1017cm-3〜1×1019cm-3に設定されて成ることを特徴とする。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体基板に各画素の光電変換部が形成され、 前記半導体基板の表面側に前記光電変換部における電荷蓄積領域及び信号電荷の読出し動作を行う素子が形成され、 前記半導体基板の裏面側を光照射面となされ、 前記各画素の光電変換部が、前記半導体基板の表裏両面に形成され前記光電変換部と異なる導電型のアキュムレーション層と、該アキュムレーション層と同導電型の画素分離領域とに囲まれ、 前記アキュムレーション層の不純物濃度が、1×1017cm-3〜1×1019cm-3に設定されて成る ことを特徴とする裏面照射型固体撮像素子。
IPC (2件)：
H01L 27/146 ,  H04N 5/335
FI (3件)：
H01L27/14 A ,  H04N5/335 E ,  H04N5/335 U
Fターム (25件)：
4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118CA32 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA33 ,  4M118GA02 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024AX01 ,  5C024CX03 ,  5C024CX32 ,  5C024CY47 ,  5C024DX01 ,  5C024EX43 ,  5C024GX24 ,  5C024GY01 ,  5C024GY31 ,  5C024HX01
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (9件)
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