ウエーハの分割方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：小野尚純 , 奥貫佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-144072
公開番号（公開出願番号）：特開2009-290148
出願日： 2008年06月02日
公開日（公表日）： 2009年12月10日
要約：

【課題】ストリートの表面に膜が被覆されたウエーハを、膜を残すことなく分割することができるウエーハの分割方法を提供する。【解決手段】ストリート22によって区画された複数の領域にデバイス23が形成され、かつストリートの表面に膜24が被覆されているウエーハを個々のデバイスに分割するにあたって、レーザー光をストリートに沿ってウエーハの表面側から基板21の内部に集光照射し内部にストリートに沿って変質層を形成する工程と、膜に対して吸収性を有する波長のレーザー光を表面側から該ストリートに沿って膜に照射して膜を分断するレーザー加工溝240を形成する工程と、裏面研削によりウエーハを所定の厚さにする工程と、ウエーハの裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着する工程と、ダイシングテープを拡張することによりウエーハに外力を付与しウエーハをストリートに沿って破断するウエーハ破断工程とを含む。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

基板の表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されているとともに該ストリートの表面に膜が被覆されているウエーハを、該ストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの分割方法であって、該基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの表面側から該基板の内部に集光点を位置付けて該ストリートに沿って照射し、該基板の内部にストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、該膜に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハの表面側から該ストリートに沿って該膜に照射してレーザー加工溝を形成し、該膜を該ストリートに沿って分断する膜分断工程と、ウエーハを構成する該基板の裏面を研削し、ウエーハを所定の厚さに形成する裏面研削工程と、該裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程と、環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面にウエーハの裏面を貼着した状態で該ダイシングテープを拡張することによりウエーハに外力を付与し、ウエーハを該ストリートに沿って破断するウエーハ破断工程と、を含む、ことを特徴とするウエーハの分割方法。

IPC (2件)：

H01L 21/301 , H01L 21/304

FI (4件)：

H01L21/78 Q , H01L21/78 B , H01L21/78 X , H01L21/304 631

引用特許：

出願人引用 (1件)

特許第3408805号公報

審査官引用 (4件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-350197 出願人：松下電器産業株式会社
非金属基板の分割方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-147733 出願人：株式会社ディスコ
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-325022 出願人：株式会社東芝

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