特許
J-GLOBAL ID：200903092408985177

半導体発光装置の製造方法

発明者：
村田 博志

村田 博志 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-213410
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055944
出願日： 2002年07月23日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：
【課題】発光効率が高く、小型薄型化されて取り扱いが容易な半導体発光装置を提供する。【解決手段】可視光を吸収する基板7上に化合物半導体を積層した発光素子を基体14上にフリップチップ実装する半導体発光装置1の製造方法において、基体14上に基板7を上側に配置した発光素子4をフリップチップ実装した後、基板7を除去することを特徴とする半導体発光装置1の製造方法としたものであり、実装後に基板7を除去するので、基板7によって可視光が吸収されなくなる。また、発光素子4をフリップチップ実装するときには、基板7が残っているので厚みが薄くなりすぎず、基体14への搭載が容易になる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
光吸収性の基板上に化合物半導体を積層した発光素子を基体上にフリップチップ実装する半導体発光装置の製造方法において、 前記基体上に前記基板を上側に配置した前記発光素子をフリップチップ実装した後、前記光吸収性の基板を除去することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L33/00 ,  H01L21/60
FI (2件)：
H01L33/00 N ,  H01L21/60 311Q
Fターム (12件)：
5F041AA03 ,  5F041AA47 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041DA12 ,  5F041DA17 ,  5F041DA19 ,  5F041DA44 ,  5F044KK06 ,  5F044LL01 ,  5F044RR18 ,  5F044RR19
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM