特許
J-GLOBAL ID：200903092445765012

窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法

発明者：
小出 典克

小出 典克 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-289870
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091253
出願日： 1997年11月07日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】素子特性及び製造効率を向上させること。【解決手段】シリコン基板1の上にはストライプ状又は格子状にAl0.15Ga0.85N層2が形成されている。基板1の露出領域Aと層2の上部領域Bに、GaN 層3を成長させる。このとき、GaN は、層2のAl0.15Ga0.85N 上に3次元的(垂直方向のみならず横方向にも)にエピタキシャル成長する。このように、GaN が横方向にもエピタキシャル成長するので、基板1の露出領域Aである横方向成長領域では転位が大幅に減少した窒化ガリウム系化合物半導体を得ることができる。
請求項（抜粋）：
基板上に第1の窒化ガリウム系化合物半導体を成長させ、その後、その第1の窒化ガリウム系化合物半導体を、前記基板の露出部が散在するように、点状、ストライプ状又は格子状等の島状態にエッチングし、その後、前記島状態の前記第1の窒化ガリウム系化合物半導体を核として成長するが、前記基板の露出部を核としてはエピタキシャル成長しない第2の窒化ガリウム系化合物半導体を成長させ、前記基板の露出面上は横方向成長により形成し、前記第2の窒化ガリウム系化合物半導体の上に窒化ガリウム系化合物半導体から成る素子層を形成するすることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 ,  H01L 31/10
FI (5件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 ,  H01L 31/10 A
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM