特許
J-GLOBAL ID：200903092484260769

パターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法

発明者：
谷口 克己

谷口 克己 について


出願人/特許権者：
富士電機デバイステクノロジー株式会社

富士電機デバイステクノロジー株式会社 について


代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-003446
公開番号（公開出願番号）：特開2009-169993
出願日： 2008年01月10日
公開日（公表日）： 2009年07月30日
要約：
【課題】本発明の目的は、中間層の凹凸パターン形成時のドライエッチングプロセスにおいて、必要部位のみを高精度に加工することができる、パターンドメディア型の磁気記録媒体の製造方法を提供することである。【解決手段】基板上に、軟磁性層、エッチングストップ層、シード層、中間層、ハードマスク層、およびレジストを順次形成する工程、上記レジストをパターニングして、レジストパターンを得る工程、上記レジストパターンをマスクとしてハードマスク層をエッチングし、パターン状ハードマスク層を得る工程、上記レジストパターンを剥離する工程、上記パターン状ハードマスク層をマスクとして上記中間層をエッチングし、パターン状中間層を得る工程、上記パターン状ハードマスク層を剥離する工程、および磁気記録層を形成する工程であって、上記パターン状中間層上に垂直配向部を形成するとともに上記シード層上にランダム配向部を形成する工程、を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に、軟磁性層、エッチングストップ層、シード層、中間層、ハードマスク層、およびレジストを順次形成する工程、 前記レジストをパターニングして、レジストパターンを得る工程、 前記レジストパターンをマスクとしてハードマスク層をエッチングし、パターン状ハードマスク層を得る工程、 前記レジストパターンを剥離する工程、 前記パターン状ハードマスク層をマスクとして前記中間層をエッチングし、パターン状中間層を得る工程、 前記パターン状ハードマスク層を剥離する工程、および 磁気記録層を形成する工程であって、前記パターン状中間層上に垂直配向部を形成するとともに前記シード層上にランダム配向部を形成する工程、 を含むことを特徴とする、パターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法。
IPC (1件)：
G11B 5/84
FI (2件)：
G11B5/84 Z ,  G11B5/84 B
Fターム (16件)：
5D112AA05 ,  5D112AA06 ,  5D112AA07 ,  5D112AA17 ,  5D112AA24 ,  5D112BB05 ,  5D112BB06 ,  5D112BC03 ,  5D112BC04 ,  5D112BC05 ,  5D112BD02 ,  5D112BD03 ,  5D112GA00 ,  5D112GA17 ,  5D112GA20 ,  5D112GA22
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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