特許
J-GLOBAL ID：200903092489624114

エッチング方法

発明者：
小林 憲

小林 憲 について

, 
萩原 正明

萩原 正明 について

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内藤 和香子

内藤 和香子 について

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稲沢 剛一郎

稲沢 剛一郎 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-235191
公開番号（公開出願番号）：特開2001-060582
出願日： 1999年08月23日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：
【要約】【課題】 エッチストッパを用いることなく,マイクロトレンチングを防ぐことの可能なエッチング方法を提供する。【解決手段】 気密な処理室内に処理ガスを導入し,処理室内に配置されたウェハWに形成された有機膜層に対するエッチング方法において,処理ガスはN2とH2とを含み,真空処理室内の圧力は実質的に500mTorr〜800mTorrであることを特徴とする。処理ガスに少なくとも窒素原子含有気体と水素原子含有気体とを含み,真空処理室内の圧力を実質的に500mTorr以上にすると,エッチストッパを用いることなく,マイクロトレンチングを防ぐことができる。また,マスク選択比を高めることができる。
請求項（抜粋）：
気密な処理室内に処理ガスを導入し,前記処理室内に配置された被処理体に形成された有機層膜に対するエッチング方法において:前記処理ガスは少なくとも窒素原子含有気体と水素原子含有気体とを含み,前記真空処理室内の圧力は実質的に500mTorr以上であることを特徴とする,エッチング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00
FI (2件)：
H01L 21/302 J ,  C23F 4/00 E
Fターム (29件)：
4K057DA13 ,  4K057DA18 ,  4K057DB20 ,  4K057DD08 ,  4K057DE14 ,  4K057DE15 ,  4K057DE20 ,  4K057DG13 ,  4K057DM05 ,  4K057DM08 ,  4K057DM33 ,  4K057DN01 ,  5F004AA05 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA09 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB23 ,  5F004BB28 ,  5F004CA02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DB23 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (6件)
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