特許
J-GLOBAL ID：200903092595793952
ヘテロバイポーラトランジスタおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長尾 常明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-399109
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197627
出願日： 2001年12月28日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：
【要約】【課題】 均一なベース抵抗を持ち、ベース層厚の薄いへテロバイポーラトランジスタが高歩留まりで得られるようにする。【解決手段】 半絶縁性基板11の上に、コレクタ層13、ベース層14およびエミッタ層15が順次積層され、エミッタ層15上にベース電極18が配置されたヘテロバイポーラトランジスタである。ベース層14はGaAsからなり、エミッタ層15はInGaPからなり、ベース電極18はTiを含み、ベース電極18からエミッタ層15に浸入したベース電極18中のTiがベース層14にオーミック接合されているようにした。
請求項（抜粋）：
半絶縁性基板の上に、コレクタ層、ベース層およびエミッタ層が順次積層され、前記エミッタ層の直上にベース電極が配置されたヘテロバイポーラトランジスタにおいて、前記ベース層はGaAsからなり、前記エミッタ層はInGaPからなり、前記ベース電極はTiを含み、前記ベース電極から前記エミッタ層に浸入した前記ベース電極中のTiが前記ベース層にオーミック接合されていることを特徴とするヘテロバイポーラトランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/331
, H01L 29/737
5F003BB01
, 5F003BB05
, 5F003BC01
, 5F003BE01
, 5F003BF06
, 5F003BH00
, 5F003BH08
, 5F003BM03
, 5F003BP32
