特許
J-GLOBAL ID：200903092596971757
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-089736
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284587
出願日： 2000年03月28日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：
【要約】【課題】本発明は、U-MOSFETにおいて、タングステンゲートを採用できるようにすることを最も主要な特徴としている。【解決手段】たとえば、ゲートトレンチ12内にポリシリコンを埋め込んでダミー電極16を形成した後、ゲッター処理などの高温熱処理工程を実施する。この後、ゲートトレンチ12内のポリシリコンを除去し、再度、ゲートトレンチ12内にタングステン膜を埋め込んでトレンチゲート電極18を形成する。こうすることで、熱によるタングステン膜の収縮を抑え、トレンチ12内に隙間ができるのを防ぐ構成となっている。
請求項（抜粋）：
第1の半導体領域と、この第1の半導体領域の一主面に形成され、前記第1の半導体領域よりも不純物濃度が低い第1導電型の第2の半導体領域と、この第2の半導体領域上に形成された第2導電型の第3の半導体領域と、この第3の半導体領域の表面領域に形成され、前記第2の半導体領域よりも不純物濃度が高い第1導電型の第4の半導体領域と、前記第4および第3の半導体領域を貫通し、前記第2の半導体領域に達する深さを有して形成された複数のトレンチゲート用溝部と、それぞれの、前記トレンチゲート用溝部の内面に沿って形成されたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜を介して、前記トレンチゲート用溝部内に低融点金属を埋め込んでなるゲート電極とを具備してなることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/78 653
, H01L 29/78 652
, H01L 29/78 655
, H01L 21/336
H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 652 K
, H01L 29/78 655 A
, H01L 29/78 658 F
