電界効果型半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-325148
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335701
出願日： 1995年11月20日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：

【要約】【課題】低いシート抵抗を有し、高速動作が可能であり、高い集積度を得ることができ、しかも高い信頼性を有し、製造工程が左程増加することがない電界効果型半導体装置を提供する。【解決手段】活性領域と素子分離領域11から成り、活性領域には拡散領域18,21とチャネル領域22とゲート電極15とが形成された電界効果型半導体装置であって、(イ)素子分離領域11上に形成され、ゲート電極15と略平行に延びるダミーパターン16と、(ロ)ゲート電極及びダミーパターンの側面に設けられた、絶縁材料から成るサイドウオール19と、(ハ)ゲート電極15及びダミーパターン16のそれぞれの側面に設けられたサイドウオール19の間に形成され、拡散領域21が底部に露出した凹部20と、(ニ)凹部20内に形成された導電層24から成る。

請求項（抜粋）：

活性領域と素子分離領域から成り、活性領域には拡散領域とチャネル領域とゲート電極とが形成された電界効果型半導体装置であって、(イ)素子分離領域上に形成され、該ゲート電極と略平行に延びるダミーパターンと、(ロ)該ゲート電極及び該ダミーパターンの側面に設けられた、絶縁材料から成るサイドウオールと、(ハ)ゲート電極の側面に設けられた該サイドウオールとダミーパターンの側面に設けられた該サイドウオールとの間に形成され、前記拡散領域が底部に露出した凹部と、(ニ)該凹部内に形成された導電層、から成ることを特徴とする電界効果型半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 301 , H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 29/78 301 X , H01L 21/28 301 A , H01L 27/08 102 D , H01L 27/08 321 F , H01L 29/78 301 Y

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開平4-063437
MOSIC及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-022751 出願人：ソニー株式会社
特開平4-115534

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