特許
J-GLOBAL ID：200903092630882564

微結晶シリコン光起電力素子、及びその製造方法

発明者：
堀江 哲弘

堀江 哲弘 について

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森田 章二

森田 章二 について

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山口 賢剛

山口 賢剛 について


出願人/特許権者：
三菱重工業株式会社

三菱重工業株式会社 について


代理人 (1件)： 藤田 考晴 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-342529
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142713
出願日： 2001年11月07日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：
【要約】【課題】 高速の成膜速度で高品質のシリコン膜を形成することができ、低コストで高い光電変換効率の微結晶シリコン光起電力素子を実現することができる、微結晶シリコン光起電力素子の製造方法、及び微結晶シリコン光起電力素子を提供する。【解決手段】 微結晶シリコン光起電力素子の製造方法として、プラズマ化学気相成長法を用いて基板206上にシリコン膜を成膜する際に、基板206に対向して置かれた高周波電極210に、時間的にその電力密度を変化させたプラズマ励起用高周波電力を印加するようにした。
請求項（抜粋）：
基板上にシリコン膜が成膜された微結晶シリコン光起電力素子であって、前記シリコン膜は、前記基板に対向して置かれた高周波電極に時間的にその電力密度を変化させたプラズマ励起用高周波電力を印加する、プラズマ化学気相成長法によって成膜されていることを特徴とする微結晶シリコン光起電力素子。
IPC (4件)：
H01L 31/04 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
C23C 16/24 ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 B
Fターム (31件)：
4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB04 ,  4K030BB12 ,  4K030CA06 ,  4K030FA03 ,  4K030HA02 ,  4K030JA16 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045BB09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045DP05 ,  5F045EF05 ,  5F045EH05 ,  5F045EH20 ,  5F051AA05 ,  5F051CA15 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA02 ,  5F051GA03
引用特許：
審査官引用 (3件)

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