半導体パッケージ及びその製造方法並びに半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-214810
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031719
出願日： 2001年07月16日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：

【要約】【課題】半導体パッケージにおいて、機械的ドリル等を用いたスルーホール加工を行わずにコア基板の作製を可能とし、ひいては高密度な微細配線形成を実現し、製造コストの低減化に寄与することを目的とする。【解決手段】メタルコアを用いて半導体パッケージのコア基板を作製する工程において、メタルコア21の所要箇所に、エッチング法又はパンチング法によりスルーホール40を形成し、スルーホール40の内壁を含めてメタルコア21の表面に、電着法により絶縁性の樹脂を被覆して樹脂膜22を形成し、樹脂膜22の全面に導電体薄膜60を形成し、スルーホール40の内部を導電体23で充填する。

請求項（抜粋）：

コア材として板状のメタルコアを用いた半導体パッケージの製造方法であって、前記メタルコアを用いてコア基板を作製する工程を含み、該コア基板を作製する工程が、前記メタルコアの所要箇所に、エッチング法又はパンチング法によりスルーホールを形成する工程と、該スルーホールの内壁を含めて前記メタルコアの表面に、電着法により絶縁性の樹脂を被覆して樹脂膜を形成する工程と、該樹脂膜の全面に導電体薄膜を形成する工程と、前記スルーホールの内部を導電体又は絶縁体で充填する工程とを含むことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 23/12 , H01L 23/12 501

FI (4件)：

H01L 23/12 501 Z , H01L 23/12 N , H01L 23/12 P , H01L 23/12 Z

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平2-072697
特開昭60-119794
回路基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-047638 出願人：電気化学工業株式会社

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