特許
J-GLOBAL ID：200903092721331390
シリコン系絶縁膜の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 文廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-270732
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111714
出願日： 1997年10月03日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】 シリコン系絶縁膜の製造方法に関し,OH基およびOH基を取り込む水素を含まない低誘電率の絶縁膜を低温形成するとともに,耐酸素プラズマ性および吸湿性のない低誘電率のシリコン系絶縁膜を形成することを目的とする。【解決手段】 反応容器中にシアネート基とアルキル基を有するシリコン系原料と第三種アミンを含む混合ガスあるいは液体を導入して反応させ,低誘電率シリコン系絶縁膜を基板上に堆積する構成をもつ。
請求項（抜粋）：
反応室中にシアネート基とアルキル基を有するシリコン系原料および第三種アミンとを含む混合ガスあるいは液体を導入して反応させ,低誘電率シリコン系絶縁膜を基板上に堆積するシリコン系絶縁膜の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, H01L 21/312
, H01L 21/768
H01L 21/316 X
, H01L 21/312 C
, H01L 21/90 K
