特許
J-GLOBAL ID：200903092723965877

半導体装置の製造方法

発明者：
岡田 昌和

岡田 昌和 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-310031
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079441
出願日： 2003年09月02日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：
【課題】 CMP処理の際に発生するスラリー異物が半導体ウエハに残留することなく、また、後工程において発塵することが無い半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体ウエハ1上に形成されるダミーチップDCにおいて、所望のパターンを形成する前に、次に示すマスク層を設ける。すなわち当該ダミーチップDCの半導体ウエハ1のエッジから約数mm程度までの領域(第1の領域DCa)を覆う第1のマスク層と、第1の領域DCa以外のダミーチップDCの領域(第2の領域DCb)および本体チップSCの領域に形成される、所望のパターンを形成するための第2のマスク層とを形成する。【選択図】図15
請求項（抜粋）：
(a)ウエハのエッジ近傍の第1の領域を覆う、第1のマスク層を形成する工程と、 (b)前記ウエハの前記第1の領域以外の第2の領域において、所定のパターンを形成するための第2のマスク層を形成する工程と、 (c)前記第1のマスク層および第2のマスク層をマスクとしてエッチング処理を施すことにより、前記ウエハの前記第2の領域のみに、前記所定のパターンよりなる凹部を形成する工程とを、 備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L21/3205 ,  H01L21/027 ,  H01L21/768
FI (3件)：
H01L21/88 K ,  H01L21/30 577 ,  H01L21/90 C
Fターム (24件)：
5F033HH11 ,  5F033JJ11 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ26 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F046AA17 ,  5F046AA20 ,  5F046AA28 ,  5F046DA29 ,  5F046DA30
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)
  • 埋め込み配線の形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-395688   出願人：ソニー株式会社
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-327117   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
  • 半導体装置とその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-100287   出願人：NECエレクトロニクス株式会社

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