半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-203469
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035983
出願日： 1999年07月16日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】低オン抵抗の半導体ペレットを用いた半導体装置では内部接続部分の電気抵抗によって半導体装置全体のオン抵抗が制限されていた。【解決手段】裏面に第1の電極2を、表面に面積が異なる第2、第3の電極3、4をそれぞれ形成した半導体ペレット1をアイランド5にマウントし、このアイランド5の少なくとも2辺に沿って複数本のリード8、12を配置し、小面積の第2の電極3を1本のリード8aに、第3の電極4を残りのリード8bに分散して接続して、半導体ペレット1を含む主要部分を樹脂11にて被覆したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

一主面に主電流が流入または流出する第1の電極が形成され、他の主面には主電流を制御する小面積の第2の電極及び主電流が流出または流入する大面積の第3の電極がそれぞれ形成された半導体ペレットをアイランドに第1の電極を電気的に接続してマウントし、このアイランドの少なくとも2辺に沿って複数本のリードを配置し、第2の電極を1本のリードに、第3の電極を残りのリードに分散して接続して、半導体ペレットを含む主要部分を樹脂にて被覆したことを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-085868 出願人：株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-050370 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-306827 出願人：ローム株式会社

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