特許
J-GLOBAL ID：200903092755247747
半導体基板の化学機械的研磨に用いられる研磨パッド
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-287247
公開番号（公開出願番号）：特開2000-117620
出願日： 1999年10月07日
公開日（公表日）： 2000年04月25日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板の化学機械的研磨に用いられる研磨パッドを提供する。【解決手段】 半導体基板の表面をスラリーを用いて研磨する研磨面と、研磨面に第1深度、第1幅及び第1相互間隔で形成されて前記研磨面の単位面積に対する第1容積比で前記スラリーを収容する多数の第1手段を有する第1研磨面領域と、第1研磨面領域に接し、研磨面に第2深度、第2幅及び第2相互間隔で形成されて、第1容積比とは異なる研磨面の単位面積に対する第2容積比でスラリーを収容する多数の第2手段を有する第2研磨面領域を備える。これにより、半導体基板の均一な化学機械的研磨が具現できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面をスラリーを用いて研磨する研磨面と、前記研磨面に第1深度、第1幅及び第1相互間隔で形成されて前記研磨面の単位面積に対する第1容積比で前記スラリーを収容する多数の第1手段を有する第1研磨面領域と、前記第1研磨面領域に接し、前記研磨面に第2深度、第2幅及び第2相互間隔で形成されて、前記第1容積比とは異なる前記研磨面の単位面積に対する第2容積比で前記スラリーを収容する多数の第2手段を有する第2研磨面領域を含むことを特徴とする半導体基板の化学機械的研磨に用いられる研磨パッド。
IPC (2件)：
B24B 37/00
, H01L 21/304 622
B24B 37/00 C
, H01L 21/304 622 F
