特許
J-GLOBAL ID：200903092777414612
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-069632
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270823
出願日： 2001年03月13日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：
【要約】【課題】高温で長時間の活性化熱処理を行うことなく、パターンエッジ部周辺に発生する応力を軽減することにより高濃度不純物領域の活性化熱処理で発生する転位の拡張を抑制する。【解決手段】LDD構造を有するMOSトランジスタのソース・ドレイン領域の形成において、P型シリコン基板101上にゲート絶縁膜102を介して、ゲート電極103を形成後、ゲート電極103等をイオン注入マスクとして、イオン注入を行い、さらに熱処理によって、n-低濃度不純物領域106を形成する。さらにゲート電極に隣接するゲート電極側壁104を形成する。このゲート電極側壁104等をイオン注入マスクとして、n+高濃度不純物領域107をイオン注入で形成し、ソース・ドレイン領域108を形成する。さらに第1のゲート電極側壁104に隣接して、第2のゲート電極側壁105を形成する。その後、ソース・ドレイン領域108の活性化熱処理を行う。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成される電界効果型トランジスタを含む半導体装置の製造方法において、前記半導体基板の表面に開口部を有するマスクを形成する工程と、前記開口部を通して前記半導体基板に不純物を注入し、前記半導体基板中にアモルファス領域を形成する工程と、前記アモルファス領域の形成後、前記開口部を狭くする工程と、その後前記アモルファス領域に活性化熱処理を行うことにより、前記電界効果型トランジスタのソース・ドレイン領域を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Fターム (18件)：
5F140AA08
, 5F140AA24
, 5F140BA01
, 5F140BG09
, 5F140BG12
, 5F140BG14
, 5F140BG15
, 5F140BG52
, 5F140BG53
, 5F140BG54
, 5F140BH15
, 5F140BH30
, 5F140BK02
, 5F140BK13
, 5F140BK19
, 5F140BK20
, 5F140BK21
, 5F140CE18
