半導体装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-158965
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006461
出願日： 2002年05月31日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】Al組成比、膜厚をあげることなしにImaxを増加させることができる半導体装置を提供すること。【解決手段】基板上に、バッファ層と、(0001)面を主面とするウルツ鉱型III-V族化合物半導体を主成分とするとともに圧縮歪を受ける動作層と、を備える半導体装置において、前記動作層と前記バッファ層の間に介在するとともに、ウルツ鉱型III-V族窒化物半導体を主成分とするキャリア供給層を備え、前記キャリア供給層の一部又は全部にn型となる不純物が添加されていることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、バッファ層と、(0001)面を主面とするウルツ鉱型III-V族化合物半導体を主成分とするとともに圧縮歪を受ける動作層と、を備える半導体装置において、前記動作層と前記バッファ層の間に介在するとともに、ウルツ鉱型III-V族窒化物半導体を主成分とするキャリア供給層を備え、前記キャリア供給層の一部又は全部にn型となる不純物が添加されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812

FI (1件)：

H01L29/80 H

Fターム (20件)：

5F102FA03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GQ03 , 5F102GR01 , 5F102GT01 , 5F102GT02 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC11 , 5F102HC19 , 5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (3件)

高電子移動度トランジスタ及び電力増幅器
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-179544 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-069617 出願人：日本電信電話株式会社
半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-094755 出願人：ソニー株式会社

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